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20250702電子情報技術部会ナノフォトニクスエレクトロニクス交流会講演会

講演会テーマ：「半導体先端成膜技術について」

プログラム（講演時間は質疑応答を含みます）
14:00～15:15　筑根　敦弘　様　ご講演
15:25～16:55　武山　真弓　様　ご講演

連絡事項
・講演会開場時間は下記となります。
JACI会議室聴講：13:40
オンライン聴講：13:50
・JACI会議室の定員は30名です。
・感冒症状がある方、発熱されている方は会議室への参加をご遠慮ください。
・やむを得ず個別イベントの開催を中止あるいは変更する場合は、
お申し込み者に別途個別にご連絡いたします。

※申込締切　6月26日(木)　12:00
新規ユーザーは申込締切2営業日前までにユーザー登録申請をお願いします。

• 講師：筑根 敦弘（東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 学術専門職員）
• 演題：最先端半導体用原子層制御プロセス最適設計フレームワークの紹介
• 時間：14:00　～　15:15
• 要旨：現在の最先端半導体製造プロセスでは，数10工程にもおよぶALD（atomic layer deposition）法による製膜プロセスが用いられている。今回は，当研究室において取り組んでいるbeyond 1nm世代に向けたALDやALE（atomic layer etching）といった原子層制御プロセス；ALP（atomic layer process）について，学会発表等で行った成果の一部を紹介する。

• 講師：武山　真弓（北見工業大学　エネルギー総合工学コース 教授）
• 演題：半導体集積回路における低温プロセスの必要性
• 時間：15:25　～　16:55
• 要旨：半導体集積回路においては、これまで微細化を進めながら性能向上を果たしてきた。しかし、物理的限界に近づきつつある昨今、3次元集積回路等のムーアの法則に則らない新たな集積化が提案・実現され、これまで以上に基板やプロセスの制限を受けない3次元集積の在り方が提案されている。そのような中で今最も重要な要素技術の一つに低温プロセスが挙げられる。本講演では、低温プロセスの現状や課題について解説する。