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電子情報技術部会次世代エレクトロニクス分科会講演会
講演会タイトル「ワイドギャップ半導体　酸化ガリウムの最前線」

プログラム（講演時間は質疑応答を含みます）
14:30～16:00　　西中　浩之　様　ご講演
16:10～17:00　　藤井　隆満　様　ご講演

連絡事項
・講演会開場時間は下記となります。
　　JACI会議室聴講：14:10
　　オンライン聴講：14:20
・JACI会議室の定員は30名です。
・感冒症状がある方、発熱されている方は会議室への参加をご遠慮ください。
・やむを得ず個別イベントの開催を中止あるいは変更する場合は、
　お申し込み者に別途個別にご連絡いたします。
・講演後会場参加者を対象に講師の方との懇親を目的としたノンアルコールでの懇親会を行います。

※申込締切　11月20日　12:00
新規ユーザーは申込締切2営業日前までにユーザー登録申請をお願いします。

• 講師：西中　浩之（京都工芸繊維大学　　電気電子工学系 准教授）
• 演題：ミストCVDによる酸化ガリウムの結晶多形制御
• 時間：14:30　～　16:00
• 要旨：本講演ではワイドバンドギャップ半導体で注目されている酸化ガリウムの結晶多形制御について紹介する。講演者が開発したミストCVD法を用いて、酸化ガリウムの5つの結晶多型の制御に成功している。デバイス応用に向けて、単相の結晶相を得ることは適切なデバイス動作に向けて重要な課題となっている。本講演では、酸化ガリウムの結晶多型制御に向けた検討例と、その進展について講演を行う。

• 講師：藤井 隆満（株式会社TAK薄膜デバイス研究所／藤井技術士事務所 代表取締役社長／所長）
• 演題：液体ガリウムを用いたスパッタ法による酸化ガリウム、窒化ガリウム薄膜の形成
• 時間：16:10　～　17:00
• 要旨：次世代のパワー半導体材料としてGa2O3、GaNが注目されています。液体Gaターゲットを用いたスパッタ法により薄膜を形成する技術を開発しています。酸素ガスを用いてGa2O3、窒素ガスを用いてGaNを成膜可能で、装置や成膜条件の最適化によりGaN膜、β-Ga2O3、ε-Ga2O3、γ-Ga2O3を得ることに成功しました。今後、さらにその応用範囲を拡大する研究を進めていきます。