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20240125ナノフォトニクスエレクトロニクス交流会講演会

日時：2024年1月25日(木)　14:00~16:25

プログラム

14:00~15:30

講師：熊本大学　半導体・デジタル研究教育機構　百瀬　健　准教授

演題：超臨界流体薄膜堆積法の基礎と半導体応用

15:40~16:25

講師：東京エレクトロン株式会社　CTSPS BU MKT部　矢野　洋　部長代理

演題：超臨界流体を用いた半導体洗浄後の乾燥技術

 

事前配布資料はございません。

 

• 講師：百瀬　健（熊本大学　半導体・デジタル研究教育機構 准教授）
• 演題：超臨界流体薄膜堆積法の基礎と半導体応用
• 時間：14:00　～　15:30
• 要旨：超臨界流体薄膜堆積(Supercritical Fluid Deposition; SCFD)法は超臨界二酸化炭素中において有機金属錯体を酸化あるいは還元することにより薄膜を形成する化学堆積法である。本手法は原子層堆積法並みの高カバレッジ性能と化学気相堆積法並みの成長速度を併せ持ち，将来の高カバレッジ手法として期待できる。本報告では，実験により得られた製膜速度論や原料の諸物性をもとに製膜原理・埋め込み機構を説明する。また， ULSI用Cu配線，MEMSデバイス，THz波通信デバイスへの応用についても議論する

• 講師：矢野　洋（東京エレクトロン株式会社　CTSPS BU MKT部 部長代理）
• 演題：超臨界流体を用いた半導体洗浄後の乾燥技術
• 時間：　～　
• 要旨：半導体製造技術の進化として、微細化が一般的に知られているかと思いますが、微細化が進むにあたり回路を形成する構造が小さくなると、構造物としての物理的強度が小さくなります。回路を形成するプロセスにおいて歩留りを確保するにあたり、洗浄プロセスが多く用いられております。洗浄後にWaferを乾燥させる為に乾燥Stepが必ず必要で、微細化が進むと、これまでの技術では水が離れる際の表面張力で構造物が倒れるという課題・懸念があり、構造物を倒さずに乾燥させる技術が求められております。そこで、弊社ではCO2超臨界流体を用いた乾燥技術・装置を開発しておりますので、ご紹介させて頂きます。